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Dialog半導(dǎo)體已將其導(dǎo)電橋接電阻RAM非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)授權(quán)給Globalfoundries，但生產(chǎn)計(jì)劃要等到2022年。

Globalfoundries公司計(jì)劃在2022年將CBRAM作為其22FDX絕緣體上硅22nm制造工藝的嵌入式NVM選項(xiàng)，并計(jì)劃將該方案擴(kuò)展到其他制程。

Facebook人工智能科學(xué)家Yann LeCun表示， ReRAM技術(shù)是嵌入式人工智能的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。CBRAM可在惡劣的環(huán)境下工作，可用在物聯(lián)網(wǎng)、5G連接、人工智能、消費(fèi)者、醫(yī)療以及某些工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用上。

內(nèi)存只需要在邏輯過(guò)程中添加一個(gè)掩碼層，但目前還不清楚為什么這個(gè)技術(shù)需要如此長(zhǎng)的時(shí)間才能投入生產(chǎn)。Dialog聲稱(chēng)，由于它是一種“后端”技術(shù)，因此能夠相對(duì)容易地集成到技術(shù)節(jié)點(diǎn)中。

CBRAM由Adesto技術(shù)公司開(kāi)發(fā)，其原理是基于銅離子通過(guò)非晶二氧化硅的運(yùn)動(dòng)，以形成交叉點(diǎn)的絲狀橋接開(kāi)關(guān)。此技術(shù)于2020年9月通過(guò)對(duì)Adesto的收購(gòu)轉(zhuǎn)給了Dialog。

Adesto成立于2006年，他們計(jì)劃開(kāi)發(fā)一種基于Axon Technologies Corp.許可的非易失性存儲(chǔ)器。Axon Technologies是亞利桑那州立大學(xué)(Arizona State University)的附屬公司。該公司是眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中將ReRAM推向市場(chǎng)的公司之一，盡管基于該技術(shù)的產(chǎn)品銷(xiāo)售有些困難，也使用了其他更傳統(tǒng)的NVM技術(shù)。Dialog半導(dǎo)體負(fù)責(zé)企業(yè)發(fā)展副總裁Mark Tyndall表示:“該協(xié)議不僅為行業(yè)帶來(lái)了優(yōu)良的技術(shù)，還為Dialog下一代系統(tǒng)芯片采用前沿的CBRAM技術(shù)創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。”

通過(guò)IP定制，客戶可以通過(guò)修改CBRAM單元來(lái)優(yōu)化SoC設(shè)計(jì)，甚至為新的應(yīng)用程序調(diào)整單元。

來(lái)源：中電網(wǎng)